IXGN120N60A3
Moduuli: IGBT; yksittäinen transistori; Urmax: 600V; Ic: 120A; 595W
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXGN120N60A3
TME:n Symboli:
IXGN120N60A3
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | IGBT | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Max. estosuuntainen jännite | 0,6kV | |
Kollektorin sähkövirta | 120A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Hila - emitteri jännite | ±20V | |
Kollektorin sähkövirta impulssissa | 800A | |
Sirontateho | 595W | |
Teknologia | GenX3™ | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa30 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: IGBT moduulit IXYS
* IXGN120N60A3Käytä alla olevaa taulukkoa löytääksesi saman tyyppisiä tuotteita
Tuote on poistunut valikoimasta