IXGN200N170
Moduuli: IGBT; yksittäinen transistori; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXGN200N170
TME:n Symboli:
IXGN200N170
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | IGBT | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Max. estosuuntainen jännite | 1,7kV | |
Kollektorin sähkövirta | 160A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Hila - emitteri jännite | ±20V | |
Kollektorin sähkövirta impulssissa | 1,05kA | |
Sirontateho | 1,25kW | |
Teknologia | NPT | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa30 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: IGBT moduulit IXYS,
* IXGN200N170Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 65.47 USDBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 81.84 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 5 pcs - 60.36 USDBruttohinta seuraaville määrille 5 pcs - 75.44 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 58.24 USDBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 72.80 USD