IXTN90P20P
Moduuli; yksittäinen transistori; -200V; -90A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXTN90P20P
TME:n Symboli:
IXTN90P20P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | ||
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | ||
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | ||
Nielu-lähde jännite | -200V | ||
Nielun sähkövirta | -90A | ||
Kotelo | SOT227B | ||
Sähköasennus | ruuvattu | ||
Polarisaatio | uni-polaarinen | ||
Resistanssi johtumisen aikana | 44mΩ | ||
Nieluvirta impulssissa | -270A | ||
Sirontateho | 890W | ||
Teknologia | PolarP™ | ||
Kanaalin laji | avaustila | ||
Hilan sähkövaraus | 205nC | ||
Valmiusaika | 315ns | ||
Hila-lähde jännite | ±30V | ||
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa30 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXTN90P20PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 300)
0 varastossa TME:ssä
Tuote erikoistilauksesta