MID75-12A3
Moduuli: IGBT; diodi/transistori; boost chopper; Urmax: 1,2kV
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
MID75-12A3
TME:n Symboli:
MID75-12A3
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | IGBT | |
Puolijohteen rakenne | diodi/transistori | |
Topologia | boost chopper | |
Max. estosuuntainen jännite | 1,2kV | |
Kollektorin sähkövirta | 60A | |
Kotelo | Y4-M5 | |
Sähköasennus | FASTON yhdistimet, ruuvattu | |
Hila - emitteri jännite | ±20V | |
Kollektorin sähkövirta impulssissa | 400A | |
Sirontateho | 370W | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa111.5 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: IGBT moduulit IXYS
* MID75-12A3Käytä alla olevaa taulukkoa löytääksesi saman tyyppisiä tuotteita
Tuote on poistunut valikoimasta