+1 500 000 tuotetta valikoimassa

7000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Quick Buy Suosikit
Ostoskori

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

NXH006P120M3F2PTHG

Moduuli; transistori/transistori; 1,2kV; 191A; PIM36; Idm: 382A

Valmistaja: ONSEMI

Tuottajan tunnus:
NXH006P120M3F2PTHG
TME:n Symboli:
NXH006P120M3F2PTHG

Tavaraseloste

Tuottaja
ONSEMI
Puolijohdemoduulin tyyppi
MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne
transistori/transistori
Nielu-lähde jännite
1,2kV
Nielun sähkövirta
191A
Kotelo
PIM36
Topologia
MOSFET puolisilta
Sähköasennus
Press-in PCB
Resistanssi johtumisen aikana
14,6mΩ
Nieluvirta impulssissa
382A
Sirontateho
556W
Teknologia
SiC
Hila-lähde jännite
-10...22V
Pakkauksen laji
tulolokero
Mekaninen asennus
ruuvattu
Bruttomassa100 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH006P120M3F2PTHG
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 20 pcs - 127.24 EURBruttohinta seuraaville määrille 20 pcs - 159.04 EUR
Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 20)
Pienin määrä, jota on mahdollista tilata: 20.
Monikertaisuus: 20.