+1 500 000 tuotetta valikoimassa

6000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Soita: +48 42 645 54 44

Rekisteröidy

Quick Buy Suosikit

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

Tietoja käsitellään

Luottorajasi on ylitetty. Tilaus tulee olemaan hyväksytty, mutta sen suorittamista ei panna alkuun. Toimitusten aikataulua tilatuille tuotteille, ei myöskään määritetä. Ota yhteyttä TME:n työntekijään.

Toiminnan suorittamien onnistui.

Tapahtui odottamaton virhe. Yritä uudelleen.

Tuottaja	ONSEMI
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	transistori/transistori
Nielu-lähde jännite	1,2kV
Nielun sähkövirta	30A
Kotelo	PIM22
Topologia	H silta
Sähköasennus	Press-in PCB
Resistanssi johtumisen aikana	61mΩ
Nieluvirta impulssissa	60A
Sirontateho	113W
Teknologia	SiC
Hila-lähde jännite	-15...25V
Pakkauksen laji	tulolokero
Mekaninen asennus	ruuvattu

NXH040F120MNF1PG

Moduuli; transistori/transistori; 1,2kV; 30A; PIM22; Press-in PCB

Tavaraseloste