QS8J2TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8J2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8J2TR
Availability: OutOfStock

Transistori: P-MOSFET x2; uni-polaarinen; -12V; -4A; Idm: -12A

Valmistaja: ROHM SEMICONDUCTOR

Tuottajan tunnus:

QS8J2TR

TME:n Symboli:

QS8J2TR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 1.23 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 1.53 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 0.78 EURBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 0.97 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 100 pcs - 0.52 EURBruttohinta seuraaville määrille 100 pcs - 0.65 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 500 pcs - 0.41 EURBruttohinta seuraaville määrille 500 pcs - 0.51 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 1000 pcs - 0.37 EURBruttohinta seuraaville määrille 1000 pcs - 0.46 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 3000 pcs - 0.32 EURBruttohinta seuraaville määrille 3000 pcs - 0.39 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 24000 pcs - 0.28 EURBruttohinta seuraaville määrille 24000 pcs - 0.35 EUR

Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)

Pienin määrä, jota on mahdollista tilata: 1.
Monikertaisuus: 1.

Tuottaja	ROHM SEMICONDUCTOR
Transistorin tyyppi	P-MOSFET x2
Polarisaatio	uni-polaarinen
Nielu-lähde jännite	-12V
Nielun sähkövirta	-4A
Nieluvirta impulssissa	-12A
Sirontateho	1,5W
Kotelo	TSMT8
Hila-lähde jännite	±10V
Resistanssi johtumisen aikana	132mΩ
Asennus	SMD
Hilan sähkövaraus	20nC
Pakkauksen laji	rulla, teippi
Kanaalin laji	avaustila
Versio	ESD