STGYA120M65DF2
Transistori: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
Valmistaja: STMicroelectronics
Tuottajan tunnus:
STGYA120M65DF2
TME:n Symboli:
STGYA120M65DF2
Tavaraseloste
Tuottaja | STMicroelectronics | |
Transistorin tyyppi | IGBT | |
Kollektori-emitteri jännitteet | 650V | |
Kollektorin sähkövirta | 120A | |
Sirontateho | 625W | |
Kotelo | MAX247 | |
Hila - emitteri jännite | ±20V | |
Kollektorin sähkövirta impulssissa | 360A | |
Asennus | THT | |
Hilan sähkövaraus | 420nC | |
Pakkauksen laji | tuubi | |
Puolijohde-elementtien ominaisuudet | integrated anti-parallel diode |
Bruttomassa5 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: THT IGBT transistorit STMicroelectronics,
* STGYA120M65DF2Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 13.59 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 16.99 EUR