+1 500 000 tuotetta valikoimassa

7000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Rekisteröidy

Tiedotamme, että päivänä 20.09.2026. kello 09.00 - 12:00 (CEST) saattaa esiintyä ongelmia, jotka liittyvät pääsyyn sivustoon sekä on-line tilauksin. Pahoittelemme vaikeuksia.

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

Tietoja käsitellään

Luottorajasi on ylitetty. Tilaus tulee olemaan hyväksytty, mutta sen suorittamista ei panna alkuun. Toimitusten aikataulua tilatuille tuotteille, ei myöskään määritetä. Ota yhteyttä TME:n työntekijään.

Toiminnan suorittamien onnistui.

Tapahtui odottamaton virhe. Yritä uudelleen.

Tuottaja	IXYS
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	transistori/transistori
Nielu-lähde jännite	300V
Nielun sähkövirta	220A
Kotelo	Y3-DCB
Topologia	MOSFET puolisilta
Sähköasennus	FASTON yhdistimet, ruuvattu
Polarisaatio	uni-polaarinen
Resistanssi johtumisen aikana	7,4mΩ
Nieluvirta impulssissa	1,16kA
Sirontateho	1,5kW
Teknologia	HiPerFET™
Hila-lähde jännite	±20V
Mekaninen asennus	ruuvattu

VMM300-03F

Moduuli; transistori/transistori; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA

Tavaraseloste