+1 500 000 tuotetta valikoimassa

6000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Tiedotamme, että päivänä 12.07.2026. kello 08:00 -11:00 (CEST) saattaa esiintyä ongelmia, jotka liittyvät pääsyyn sivustoon sekä on-line tilauksin. Pahoittelemme vaikeuksia.

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

Tietoja käsitellään

Luottorajasi on ylitetty. Tilaus tulee olemaan hyväksytty, mutta sen suorittamista ei panna alkuun. Toimitusten aikataulua tilatuille tuotteille, ei myöskään määritetä. Ota yhteyttä TME:n työntekijään.

Toiminnan suorittamien onnistui.

Tapahtui odottamaton virhe. Yritä uudelleen.

Tuottaja	IXYS
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	diodi/transistori
Nielu-lähde jännite	600V
Nielun sähkövirta	50A
Kotelo	V1-B-Pack
Topologia	1-vaiheinen diodisilta, boost chopper
Sähköasennus	FASTON yhdistimet
Polarisaatio	uni-polaarinen
Resistanssi johtumisen aikana	0,12Ω
Sirontateho	500W
Hila-lähde jännite	±20V
Mekaninen asennus	ruuvattu

VUM33-06PH

Moduuli; diodi/transistori; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; Ugs: ±20V

Tavaraseloste