GeneSiC SEMICONDUCTOR

GeneSiC Semiconductor-yhtiö oli perustettu vuonna 2002 USA:ssa ja se oli alusta alkaen keskittynyt innovatiivisten komponenttien kehittämiseen, testaamiseen ja valmistamiseen uuden piikarbiditekniikan (SiC, eli silicon carbide) mukaisesti. Kyseisen toiminnan tuloksena ovat etenkin SiC-diodit ja -transistorit, joiden ominaisuuksiin kuuluvat alhaiset häviöt, korkea tehokkuus sekä kestävyys korkeita toimintalämpötiloja vastaan. Näitä ratkaisuja sovelletaan aina silloin, kun olosuhteet tai vaatimukset ylittävät perinteellisen piitekniikan mahdollisuudet – varsinkin uusiutuvan energian muuntimissa, teollisuusautomaation ja energetiikan aloilla käytettävissä korkeatehoisissa ohjaimissa sekä sotateollisuuden sovelluksissa ja monilla muilla aloilla.

TME:n luettelosta löytyy useita GenaSiC puolijohdekomponentteja, joissa on käytetty piikarbidia. Kyseessä ovat mm. Schottky-diodit(sekä THT että SMD), joiden sähkökestävyys on alle 50A (400A pulssissa), sekä diodimoduulit (ruuvattavat), joiden maksimaalinen johtavuusvirta on alle 420A (800A pulssissa). Toimittajan valikoimasta tarjoamme lisäksi unipolaaritransistoreita, MOSFET-moduuleja ja muita saman tyyppisiä komponentteja.