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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	650V
Courant du drain	78A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	30mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	200A
Puissance de dissipation	595W
La technologie	HiPerFET™, X2-Class
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	183nC
Temps d'attente	200ns
Tension entrée-source	±40V
Montage mécanique	vissés

IXFN100N65X2

Module; transistor simple; 650V; 78A; SOT227B; vissés; Idm: 200A

Spécification