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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	650V
Courant du drain	145A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	17mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	300A
Puissance de dissipation	1,04kW
La technologie	HiPerFET™, X2-Class
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	355nC
Temps d'attente	190ns
Tension entrée-source	±30V
Montage mécanique	vissés

IXFN150N65X2

Module; transistor simple; 650V; 145A; SOT227B; vissés; Idm: 300A

Spécification