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IXFN170N30P

Module; transistor simple; 300V; 138A; SOT227B; vissés; Idm: 500A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN170N30P
Référence TME:
IXFN170N30P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
300V
Courant du drain
138A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
18mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
500A
Puissance de dissipation
890W
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
258nC
Temps d'attente
200ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut29.8 g
Certificates
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IXFN170N30P
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 38.70 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 46.44 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 37.51 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 45.00 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 35.01 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 42.01 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs