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IXFN210N20P

Module; transistor simple; 200V; 188A; SOT227B; vissés; Idm: 600A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN210N20P
Référence TME:
IXFN210N20P

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
200V
Courant du drain
188A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
10,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
600A
Puissance de dissipation
1,07kW
La technologie
HiPerFET™, Polar™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
255nC
Temps d'attente
200ns
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.01 g
Certificates
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IXFN210N20P
291 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 35.11 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 42.13 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 33.80 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 40.56 EUR
Prix net pour les quantités de 20 pcs - 32.60 EURPrix brut pour les quantités de 20 pcs - 39.12 EUR
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 31.31 EURPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 37.57 EUR
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 30.10 EURPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 36.12 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs