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IXFN32N100Q3

Module; transistor simple; 1kV; 28A; SOT227B; vissés; Idm: 96A; 780W

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN32N100Q3
Référence TME:
IXFN32N100Q3

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
28A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
0,32Ω
Courant du drain dans l'impulsion
96A
Puissance de dissipation
780W
La technologie
HiPerFET™, Q3-Class
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
195nC
Temps d'attente
300ns
Tension entrée-source
±40V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.02 g
Certificates
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IXFN32N100Q3
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 76.16 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 91.39 GBP
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 68.54 GBPPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 82.24 GBP
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 60.57 GBPPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 72.68 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs