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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	1kV
Courant du drain	38A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	0,22Ω
Courant du drain dans l'impulsion	110A
Puissance de dissipation	960W
La technologie	HiPerFET™, Q3-Class
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	264nC
Temps d'attente	300ns
Tension entrée-source	±40V
Montage mécanique	vissés

IXFN44N100Q3

Module; transistor simple; 1kV; 38A; SOT227B; vissés; Idm: 110A

Spécification