IXFN80N50
Module; transistor simple; 500V; 80A; SOT227B; vissés; Idm: 320A
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXFN80N50
Référence TME:
IXFN80N50
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 500V | |
Courant du drain | 80A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 55mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 320A | |
Puissance de dissipation | 694W | |
La technologie | HiPerFET™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 380nC | |
Temps d'attente | 250ns | |
Tension entrée-source | ±40V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.16 g
Certificates
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* IXFN80N50Nombre de pièces (Multiplication: 300)
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Produit sur commande spéciale
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs