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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	850V
Courant du drain	90A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	41mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	180A
Puissance de dissipation	1,2kW
La technologie	HiPerFET™, X-Class
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	340nC
Temps d'attente	250ns
Tension entrée-source	±40V
Montage mécanique	vissés

IXFN90N85X

Module; transistor simple; 850V; 90A; SOT227B; vissés; Idm: 180A

Spécification