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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	100V
Courant du drain	178A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	11mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	500A
Puissance de dissipation	830W
La technologie	Linear L2™
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	540nC
Temps d'attente	245ns
Tension entrée-source	±30V
Montage mécanique	vissés

IXTN200N10L2

Module; transistor simple; 100V; 178A; SOT227B; vissés; Idm: 500A

Spécification