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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	-100V
Courant du drain	-210A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	7,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	-800A
Puissance de dissipation	830W
La technologie	TrenchP™
Genre de canal	enrichi
Charge d'entrée	740nC
Temps d'attente	200ns
Tension entrée-source	±15V
Montage mécanique	vissés

IXTN210P10T

Module; transistor simple; -100V; -210A; SOT227B; vissés; 830W

Spécification