SI8902AEDB-T2-E1
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 24V; 11A; Idm: 40A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI8902AEDB-T2-E1
Référence TME:
SI8902AEDB-T2-E1
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 24V | |
Courant du drain | 11A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 40A | |
Puissance de dissipation | 5,7W | |
Boîtier | MICROFOOT® | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 37mΩ | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.001 g
Certificates
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* SI8902AEDB-T2-E1Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.46 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.56 USD