B1D08065E
Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; 47W
Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
B1D08065E
Σύμβολο TME:
B1D08065E
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Τύπος διόδου | ανόρθωσης Schottky | |
Περίβλημα | TO252-2 | |
Τεχνολογία | SiC | |
Συναρμολόγηση | SMD | |
Μέγιστη αντίστροφη τάση | 650V | |
Ρεύμα αγωγιμότητας | 8A | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονή δίοδος | |
Τάση αγωγιμότητας μέγ. | 1,75V | |
Ρεύμα διέλευσης | 10µA | |
Ρεύμα σε παλμούς μέγ. | 60A | |
Είδος συσκευασίας | ρολό, ταινία | |
Ισχύς απαγωγής | 47W |
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής
ΔΕΊΤΕ ΤΟ ΒΊΝΤΕΟ
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky SMD BASiC SEMICONDUCTOR
* B1D08065EΚάνετε χρήση του παρακάτω πίνακα χαρακτηριστικών, προκειμένου να αναζητήσετε παρόμοια προϊόντα
Το προϊόν έχει αποσυρθεί από την προσφορά