+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

6000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Quick Buy Αγαπημένα
Καλάθι

Σας ενημερώνουμε πως κατά την 26.07.2026 μεταξύ των ωρών 02:00 - 04:00 (CEST) μπορεί να παρουσιαστούν προβλήματα πρόσβασης στην υπηρεσία και τις παραγγελίες on-line. Ζητούμε συγνώμη για την ενόχληση.

B2D20065H

Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 20uA

Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR

Ορισμός κατασκευαστή:
B2D20065H
Σύμβολο TME:
B2D20065H

Προδιαγραφή

Κατασκευαστής
BASiC SEMICONDUCTOR
Τύπος διόδου
ανόρθωσης Schottky
Τεχνολογία
SiC
Συναρμολόγηση
THT
Μέγιστη αντίστροφη τάση
650V
Ρεύμα αγωγιμότητας
20A
Κατασκευή ημιαγωγού
μονή δίοδος
Περίβλημα
TO247-2
Τάση αγωγιμότητας μέγ.
1,63V
Ρεύμα σε παλμούς μέγ.
160A
Ρεύμα διέλευσης
20µA
Ισχύς απαγωγής
109W
Είδος συσκευασίας
σωληνάριο
Μεικτό βαρος5.865 g
Πιστοποιητικά

Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής

Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR
*
B2D20065H
Το προϊόν έχει αποσυρθεί από την προσφορά
Κάνετε χρήση του παρακάτω πίνακα χαρακτηριστικών, προκειμένου να αναζητήσετε παρόμοια προϊόντα
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 30 τεμ