B3D20120H
Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 259W
Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
B3D20120H
Σύμβολο TME:
B3D20120H
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Τύπος διόδου | ανόρθωσης Schottky | |
Τεχνολογία | SiC | |
Συναρμολόγηση | THT | |
Μέγιστη αντίστροφη τάση | 1,2kV | |
Ρεύμα αγωγιμότητας | 20A | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονή δίοδος | |
Περίβλημα | TO247-2 | |
Ρεύμα σε παλμούς μέγ. | 160A | |
Ισχύς απαγωγής | 259W | |
Είδος συσκευασίας | σωληνάριο |
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3D20120HΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 1.93 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 2.39 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 1.74 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 2.16 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 1.53 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 1.90 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 120 τεμ - 1.38 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 120 τεμ - 1.72 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 300 τεμ - 1.29 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 300 τεμ - 1.59 USD