B3D20120H
Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 259W
Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
B3D20120H
Σύμβολο TME:
B3D20120H
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Τύπος διόδου | ανόρθωσης Schottky | ||
Τεχνολογία | SiC | ||
Συναρμολόγηση | THT | ||
Μέγιστη αντίστροφη τάση | 1,2kV | ||
Ρεύμα αγωγιμότητας | 20A | ||
Κατασκευή ημιαγωγού | μονή δίοδος | ||
Περίβλημα | TO247-2 | ||
Ρεύμα σε παλμούς μέγ. | 160A | ||
Ισχύς απαγωγής | 259W | ||
Είδος συσκευασίας | σωληνάριο |
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3D20120HΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 1.72 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 2.13 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 1.55 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 1.92 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 1.36 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 1.69 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 120 τεμ - 1.23 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 120 τεμ - 1.53 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 300 τεμ - 1.15 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 300 τεμ - 1.42 EUR