B3D80065H2
Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; SiC; THT; 650V; 97A; TO247-2; 750W
Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
B3D80065H2
Σύμβολο TME:
B3D80065H2
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Τύπος διόδου | ανόρθωσης Schottky | ||
Τεχνολογία | SiC | ||
Συναρμολόγηση | THT | ||
Μέγιστη αντίστροφη τάση | 650V | ||
Ρεύμα αγωγιμότητας | 97A | ||
Κατασκευή ημιαγωγού | μονή δίοδος | ||
Περίβλημα | TO247-2 | ||
Ρεύμα σε παλμούς μέγ. | 520A | ||
Ισχύς απαγωγής | 750W | ||
Είδος συσκευασίας | σωληνάριο |
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3D80065H2Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 3.16 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 3.91 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 2.84 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 3.52 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 2.51 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 3.12 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 120 τεμ - 2.26 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 120 τεμ - 2.80 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 300 τεμ - 2.10 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 300 τεμ - 2.60 EUR