IXFN170N30P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 300V; 138A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 500A
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN170N30P
Σύμβολο TME:
IXFN170N30P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 300V | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 138A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 18mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 500A | |
Ισχύς απαγωγής | 890W | |
Τεχνολογία | HiPerFET™, Polar™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 258nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 200ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±30V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος29.8 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30P
0 στο απόθεμα της TME
Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 38.88 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 48.21 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 37.68 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 46.72 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 35.17 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 43.61 EUR
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστή:Σωλήνα = 10 τεμ