IXFN200N10P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 100V; 200A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 400A
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN200N10P
Σύμβολο TME:
IXFN200N10P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 100V | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 200A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 7,5mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 400A | |
Ισχύς απαγωγής | 680W | |
Τεχνολογία | HiPerFET™, Polar™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 235nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 150ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±30V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος37.04 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN200N10PΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 23.34 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 28.94 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 5 τεμ - 20.73 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 5 τεμ - 25.71 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 20.00 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 24.81 EUR
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ