IXFN20N120P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 1,2kV; 20A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 50A; 595W
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN20N120P
Σύμβολο TME:
IXFN20N120P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 1,2kV | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 20A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 570mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 50A | |
Ισχύς απαγωγής | 595W | |
Τεχνολογία | HiPerFET™, Polar™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 193nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 300ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±40V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος37.11 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
17 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 13.84 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 17.17 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 13.20 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 16.37 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 13.17 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 16.33 EUR
Το προϊόν είναι διαθέσιμο μόνο μέχρι εξαντλήσεως αποθεμάτων στην αποθήκη
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ