IXFN26N100P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 1kV; 23A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 65A; 595W
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN26N100P
Σύμβολο TME:
IXFN26N100P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 1kV | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 23A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 390mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 65A | |
Ισχύς απαγωγής | 595W | |
Τεχνολογία | HiPerFET™, Polar™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 197nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 300ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±40V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος37.04 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100PΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
6 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 41.27 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 51.17 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 36.42 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 45.16 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 32.74 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 40.60 USD
Το προϊόν είναι διαθέσιμο μόνο μέχρι εξαντλήσεως αποθεμάτων στην αποθήκη
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ