IXFN32N120P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 1,2kV; 32A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 100A
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN32N120P
Σύμβολο TME:
IXFN32N120P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 1,2kV | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 32A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 0,31Ω | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 100A | |
Ισχύς απαγωγής | 1kW | |
Τεχνολογία | HiPerFET™, Polar™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 360nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 300ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±40V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος37.27 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120P
0 στο απόθεμα της TME
Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 81.40 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 100.94 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 71.91 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 89.16 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 64.60 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 80.11 EUR
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστή:Σωλήνα = 10 τεμ