IXFN360N15T2
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 150V; 310A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 900A
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN360N15T2
Σύμβολο TME:
IXFN360N15T2
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 150V | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 310A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 4mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 900A | |
Ισχύς απαγωγής | 1,07kW | |
Τεχνολογία | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 715nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 150ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±30V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος37.17 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N15T2Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 300)
0 στο απόθεμα της TME
Προϊόν κατόπιν ειδικής παραγγελίας
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ