IXFN38N100P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 1kV; 38A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 120A; 1000W
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN38N100P
Σύμβολο TME:
IXFN38N100P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | ||
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | ||
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | ||
Τάση πυρήνα - πηγής | 1kV | ||
Ρεύμα αποστράγγισης | 38A | ||
Περίβλημα | SOT227B | ||
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | ||
Πόλωση | αμφιπολικό | ||
Αγώγιμη αντίσταση | 0,21Ω | ||
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 120A | ||
Ισχύς απαγωγής | 1kW | ||
Τεχνολογία | HiPerFET™, Polar™ | ||
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | ||
Φορτίο πύλης | 0,35µC | ||
Χρόνος ετοιμότητας | 300ns | ||
Τάση πύλης - πηγής | ±40V | ||
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος37.24 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN38N100PΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 33.54 GBPΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 41.59 GBP
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 31.43 GBPΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 38.97 GBP
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ