IXFN80N50P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 500V; 66A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 200A; 700W
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN80N50P
Σύμβολο TME:
IXFN80N50P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 500V | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 66A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 65mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 200A | |
Ισχύς απαγωγής | 700W | |
Τεχνολογία | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 195nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 200ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±30V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος30 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50PΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 300)
0 στο απόθεμα της TME
Προϊόν κατόπιν ειδικής παραγγελίας
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ