IXFN82N60P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 600V; 72A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 200A
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXFN82N60P
Σύμβολο TME:
IXFN82N60P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 600V | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 72A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 75mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 200A | |
Ισχύς απαγωγής | 1,04kW | |
Τεχνολογία | HiPerFET™, Polar™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 240nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 200ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±40V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος29.69 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 37.05 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 45.95 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 30.36 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 37.65 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 100 τεμ - 28.46 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 100 τεμ - 35.28 EUR
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 10 τεμ