IXTN170P10P
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; -100V; -170A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: -510A
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXTN170P10P
Σύμβολο TME:
IXTN170P10P
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | -100V | |
Ρεύμα αποστράγγισης | -170A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 14mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | -510A | |
Ισχύς απαγωγής | 890W | |
Τεχνολογία | PolarP™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 240nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 176ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±30V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος30 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXTN170P10PΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 300)
0 στο απόθεμα της TME
Προϊόν κατόπιν ειδικής παραγγελίας