IXTN200N10L2
Μονάδα; μονό τρανζίστορ; 100V; 178A; SOT227B; Βιδωτά; Idm: 500A
Κατασκευαστής: IXYS
Ορισμός κατασκευαστή:
IXTN200N10L2
Σύμβολο TME:
IXTN200N10L2
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | IXYS | |
Τύπος μονάδας ημιαγωγού | Τρανζίστορ MOSFET | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονό τρανζίστορ | |
Τάση πυρήνα - πηγής | 100V | |
Ρεύμα αποστράγγισης | 178A | |
Περίβλημα | SOT227B | |
Ηλεκτρική συναρμολόγηση | Βιδωτά | |
Πόλωση | αμφιπολικό | |
Αγώγιμη αντίσταση | 11mΩ | |
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό | 500A | |
Ισχύς απαγωγής | 830W | |
Τεχνολογία | Linear L2™ | |
Είδος καναλιού | εμπλουτισμένο | |
Φορτίο πύλης | 540nC | |
Χρόνος ετοιμότητας | 245ns | |
Τάση πύλης - πηγής | ±30V | |
Μηχανική συναρμολόγηση | Βιδωτά |
Μεικτό βαρος29.6 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 45.45 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 56.36 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 100 τεμ - 40.27 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 100 τεμ - 49.94 EUR
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 20 τεμ