+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

6000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Καλέστε μας στο +48 42 645 54 44

Σε ισχύ επεξεργασία δεδομένων

Έχετε υπερβεί το πιστωτικό σας όριο. Η παραγγελία σας γίνεται δεκτή αλλά δεν θα πραγματοποιηθεί. Επίσης, δεν θα οριστεί ημερομηνία παράδοσης. Παρακαλούμε επικοινωνήστε με εκπρόσωπο της ΤΜΕ.

Η λειτουργία πραγματοποιήθηκε με επιτυχία.

Παρουσιάστηκε απροσδόκητο σφάλμα. Παρακαλούμε προσπαθήστε ξανά.

Κατασκευαστής	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Τύπος μονάδας ημιαγωγού	Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού	τρανζίστορ/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής	1,2kV
Ρεύμα αποστράγγισης	300A
Περίβλημα	B3.7
Τοπολογία	ημιγέφυρα MOSFET
Ηλεκτρική συναρμολόγηση	Βιδωτά, Κονέκτορες FASTON
Αγώγιμη αντίσταση	7,5mΩ
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό	1,096kA
Τεχνολογία	SiC
Τάση πύλης - πηγής	±20V
Μηχανική συναρμολόγηση	Βιδωτά

MD300HFR120B3S

Μονάδα; τρανζίστορ/τρανζίστορ; 1,2kV; 300A; B3.7; Idm: 1,096kA; SiC

Προδιαγραφή