+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

7000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Quick Buy Αγαπημένα
Καλάθι

NXH003P120M3F2PTHG

Μονάδα; τρανζίστορ/τρανζίστορ; 1,2kV; 350A; PIM36; Press-in PCB

Κατασκευαστής: ONSEMI

Ορισμός κατασκευαστή:
NXH003P120M3F2PTHG
Σύμβολο TME:
NXH003P120M3F2PTHG

Προδιαγραφή

Κατασκευαστής
ONSEMI
Τύπος μονάδας ημιαγωγού
Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού
τρανζίστορ/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής
1,2kV
Ρεύμα αποστράγγισης
350A
Περίβλημα
PIM36
Τοπολογία
ημιγέφυρα MOSFET
Ηλεκτρική συναρμολόγηση
Press-in PCB
Αγώγιμη αντίσταση
5,88mΩ
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό
700A
Ισχύς απαγωγής
979W
Τεχνολογία
SiC
Τάση πύλης - πηγής
-10...22V
Είδος συσκευασίας
παστίλια
Μηχανική συναρμολόγηση
Βιδωτά
Μεικτό βαρος100 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH003P120M3F2PTHG
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 20 τεμ - 208.46 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 20 τεμ - 258.48 EUR
Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 20)