+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

6000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Καλέστε μας στο +48 42 645 54 44

Εγγραφή

Σε ισχύ επεξεργασία δεδομένων

Έχετε υπερβεί το πιστωτικό σας όριο. Η παραγγελία σας γίνεται δεκτή αλλά δεν θα πραγματοποιηθεί. Επίσης, δεν θα οριστεί ημερομηνία παράδοσης. Παρακαλούμε επικοινωνήστε με εκπρόσωπο της ΤΜΕ.

Η λειτουργία πραγματοποιήθηκε με επιτυχία.

Παρουσιάστηκε απροσδόκητο σφάλμα. Παρακαλούμε προσπαθήστε ξανά.

Κατασκευαστής	ONSEMI
Τύπος μονάδας ημιαγωγού	Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού	τρανζίστορ/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής	1,2kV
Ρεύμα αποστράγγισης	105A
Περίβλημα	PIM18
Τοπολογία	ημιγέφυρα MOSFET
Ηλεκτρική συναρμολόγηση	Press-in PCB
Αγώγιμη αντίσταση	24,5mΩ
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό	316A
Ισχύς απαγωγής	272W
Τεχνολογία	SiC
Τάση πύλης - πηγής	-10...22V
Είδος συσκευασίας	παστίλια
Μηχανική συναρμολόγηση	Βιδωτά

NXH010P120M3F1PG

Μονάδα; τρανζίστορ/τρανζίστορ; 1,2kV; 105A; PIM18; Press-in PCB

Προδιαγραφή