+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

6000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Quick Buy Αγαπημένα
Καλάθι

NXH010P120MNF1PG

Μονάδα; τρανζίστορ/τρανζίστορ; 1,2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB

Κατασκευαστής: ONSEMI

Ορισμός κατασκευαστή:
NXH010P120MNF1PG
Σύμβολο TME:
NXH010P120MNF1PG

Προδιαγραφή

Κατασκευαστής
ONSEMI
Τύπος μονάδας ημιαγωγού
Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού
τρανζίστορ/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής
1,2kV
Ρεύμα αποστράγγισης
114A
Περίβλημα
PIM18
Τοπολογία
ημιγέφυρα MOSFET
Ηλεκτρική συναρμολόγηση
Press-in PCB
Αγώγιμη αντίσταση
14,5mΩ
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό
228A
Ισχύς απαγωγής
413W
Τεχνολογία
SiC
Τάση πύλης - πηγής
-15...25V
Είδος συσκευασίας
παστίλια
Μηχανική συναρμολόγηση
Βιδωτά
Μεικτό βαρος100 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH010P120MNF1PG
0 στο απόθεμα της TME
Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 28)
Προϊόν κατόπιν ειδικής παραγγελίας