+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

7000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Καλέστε μας στο +48 42 645 54 44

Εγγραφή

Σε ισχύ επεξεργασία δεδομένων

Έχετε υπερβεί το πιστωτικό σας όριο. Η παραγγελία σας γίνεται δεκτή αλλά δεν θα πραγματοποιηθεί. Επίσης, δεν θα οριστεί ημερομηνία παράδοσης. Παρακαλούμε επικοινωνήστε με εκπρόσωπο της ΤΜΕ.

Η λειτουργία πραγματοποιήθηκε με επιτυχία.

Παρουσιάστηκε απροσδόκητο σφάλμα. Παρακαλούμε προσπαθήστε ξανά.

Κατασκευαστής	ONSEMI
Τύπος μονάδας ημιαγωγού	Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού	τρανζίστορ/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής	1,2kV
Ρεύμα αποστράγγισης	114A
Περίβλημα	PIM18
Τοπολογία	ημιγέφυρα MOSFET
Ηλεκτρική συναρμολόγηση	Press-in PCB
Αγώγιμη αντίσταση	14,5mΩ
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό	228A
Ισχύς απαγωγής	413W
Τεχνολογία	SiC
Τάση πύλης - πηγής	-15...25V
Είδος συσκευασίας	παστίλια
Μηχανική συναρμολόγηση	Βιδωτά

NXH010P120MNF1PTNG

Μονάδα; τρανζίστορ/τρανζίστορ; 1,2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB

Προδιαγραφή