+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

6000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Quick Buy Αγαπημένα
Καλάθι

NXV08A170DB2

Μονάδα; τρανζίστορ/τρανζίστορ; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Κατασκευαστής: ONSEMI

Ορισμός κατασκευαστή:
NXV08A170DB2
Σύμβολο TME:
NXV08A170DB2

Προδιαγραφή

Κατασκευαστής
ONSEMI
Τύπος μονάδας ημιαγωγού
Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού
τρανζίστορ/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής
80V
Ρεύμα αποστράγγισης
200A
Περίβλημα
APM12-CBA
Τοπολογία
ημιγέφυρα MOSFET
Ηλεκτρική συναρμολόγηση
THT
Αγώγιμη αντίσταση
2,4mΩ
Τάση πύλης - πηγής
±20V
Είδος συσκευασίας
παστίλια
Μηχανική συναρμολόγηση
Βιδωτά
Μεικτό βαρος100 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules ONSEMI,
*
NXV08A170DB2
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 288 τεμ - 13.55 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 288 τεμ - 16.80 EUR
Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 288)