STGAP2SICSACTR
IC: driver; οδηγητής πυλών SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Ορισμός κατασκευαστή:
STGAP2SICSACTR
Σύμβολο TME:
STGAP2SICSACTR
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | STMicroelectronics | ||
Τύπος ολοκληρωμένου κυκλώματος | driver | ||
Είδος ολοκληρωμένου κυκλώματος | οδηγητής πυλών SiC MOSFET | ||
Περίβλημα | SO8-W | ||
Ρεύμα εξόδου | -4...4A | ||
Τάση εξόδου | 1,2kV | ||
Αριθμός καναλιών | 1 | ||
Ιδιότητες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων | γαλβανικός διαχωρισμός | ||
Συναρμολόγηση | SMD | ||
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40...125°C | ||
Είδος συσκευασίας | ρολό, ταινία |
Τάση τροφοδοσίας
- 3,1...5,25V
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Οδηγοί MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSACTRΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 2.33 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 2.89 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 2 τεμ - 2.12 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 2 τεμ - 2.62 USD
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 1.99 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 10 τεμ - 2.47 USD