STGAP2SICSCTR
IC: driver; οδηγητής πυλών SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Ορισμός κατασκευαστή:
STGAP2SICSCTR
Σύμβολο TME:
STGAP2SICSCTR
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | STMicroelectronics | |
Τύπος ολοκληρωμένου κυκλώματος | driver | |
Είδος ολοκληρωμένου κυκλώματος | οδηγητής πυλών SiC MOSFET | |
Περίβλημα | SO8-W | |
Ρεύμα εξόδου | -4...4A | |
Τάση εξόδου | 1,2kV | |
Αριθμός καναλιών | 1 | |
Ιδιότητες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων | γαλβανικός διαχωρισμός | |
Συναρμολόγηση | SMD | |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40...125°C | |
Είδος συσκευασίας | ρολό, ταινία |
Τάση τροφοδοσίας
- 3,1...5,5V
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Οδηγοί MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTRΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1 000)
0 στο απόθεμα της TME
Προϊόν κατόπιν ειδικής παραγγελίας