GeneSiC SEMICONDUCTOR

Η εταιρεία GeneSiC Semiconductor ιδρύθηκε το έτος 2002 στις ΗΠΑ και επικεντρώνεται στην ανάπτυξη, δοκιμή και παραγωγή καινοτόμων εξαρτημάτων με νέα τεχνολογία καρβιδίου του Πυριτίου (SiC, από την αγγλική silicon carbide). Καρπό των δράσεων αυτών αποτελούν κυρίως οι δίοδοι και τα τρανζίστορ SiC που χαρακτηρίζονται από μικρές απώλειες, μεγάλη αποδοτικότητα καθώς και ανθεκτικότητα σε υψηλές θερμοκρασίες λειτουργίας. Οι λύσεις αυτές βρίσκουν εφαρμογή οπουδήποτε οι συνθήκες ή οι απαιτήσεις υπερβαίνουν τις δυνατότητες της κλασικής τεχνολογίας πυριτίου, ειδικότερα σε μετατροπείς ανανεώσιμης ενέργειας που χρησιμοποιούνται σε πεδία βιομηχανικών αυτοματισμών και ενέργειας, καθώς επίσης και σε εφαρμογές στα πλαίσια στρατιωτικών εφαρμογών καθώς και άλλων κλάδων.

Στον κατάλογο της ΤΜΕ, μπορείτε να βρείτε σειρά από εξαρτήματα ημιαγωγών GenaSiC, στα οποία χρησιμοποιείται καρβίδιο του πυριτίου. Πρόκειται μετ. αλλ. για διόδους Schottky (ομοίως THT, καθώς και SMD) με ανθεκτικότητα ρεύματος έως 50A (400A σε παλμό), καθώς επίσης μονάδες διόδων (βιδωτές) με μέγιστη ένταση μεταγωγής έως 420A (800A σε παλμό). Από το χαρτοφυλάκιο του κατασκευαστή, προσφέρουμε επίσης μονοπολικά τρανζίστορ, μονάδες MOSFET και ομόαιμα προϊόντα.