APTC60AM45BC1G
Modulo; diodo SiC/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; 250W
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTC60AM45BC1G
Simbolo TME:
APTC60AM45BC1G
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | diodo SiC/transistor | ||
Tensione drenaggio-fonte | 600V | ||
Corrente di drenaggio | 38A | ||
Cassa | SP1 | ||
Topologia | boost chopper, semi ponte MOSFET | ||
Montaggio elettrico | Press-in PCB | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 45mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 130A | ||
Potenza dissipata | 250W | ||
Tecnologia | CoolMOS™, SiC | ||
Tensione porta-sorgente | ±20V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo80 g
Certificati
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* APTC60AM45BC1GQuantità (Molteplicità: 11)
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Prezzo netto per quantità da 11 pz - 73.23 EURPrezzo lordo per quantità da 11 pz - 89.34 EUR
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