APTM100A13SCG
Modulo; diodo SiC/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTM100A13SCG
Simbolo TME:
APTM100A13SCG
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | diodo SiC/transistor | |
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | |
Corrente di drenaggio | 49A | |
Cassa | SP6C | |
Topologia | semiponte MOSFET + diodi in serie + diodi in parallelo | |
Montaggio elettrico | avvitabile, FASTON connettori | |
Resistenza nello stato di conduzione | 156mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 240A | |
Potenza dissipata | 1,25kW | |
Tecnologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo300 g
Certificati
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* APTM100A13SCGQuantità (Molteplicità: 4)
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Prezzo netto per quantità da 4 pz - 263.98 USDPrezzo lordo per quantità da 4 pz - 322.06 USD
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