APTM100UM65DAG
Modulo; transistor singolo; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3,25kW
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTM100UM65DAG
Simbolo TME:
APTM100UM65DAG
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | ||
Corrente di drenaggio | 110A | ||
Cassa | SP6C | ||
Montaggio elettrico | avvitabile, FASTON connettori | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 78mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 580A | ||
Potenza dissipata | 3,25kW | ||
Tecnologia | POWER MOS 7® | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo300 g
Certificati
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* APTM100UM65DAGQuantità (Molteplicità: 4)
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