APTM10DSKM09T3G
Modulo; diodo/transistor; 100V; 100A; SP3; Press-in PCB; Idm: 430A
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTM10DSKM09T3G
Simbolo TME:
APTM10DSKM09T3G
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | diodo/transistor | ||
Tensione drenaggio-fonte | 100V | ||
Corrente di drenaggio | 100A | ||
Cassa | SP3 | ||
Topologia | buck chopper x2, termistore NTC | ||
Montaggio elettrico | Press-in PCB | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 10mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 430A | ||
Potenza dissipata | 390W | ||
Tecnologia | POWER MOS 5® | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo110 g
Certificati
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* APTM10DSKM09T3GQuantità (Molteplicità: 12)
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Prezzo netto per quantità da 12 pz - 76.17 USDPrezzo lordo per quantità da 12 pz - 92.92 USD
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